蓝宝石上硅（SOS）技术是一种用于金属氧化物半导体（MOS）集成电路（IC）制造的异质外延工艺，由一薄层（通常小于0.6µm薄膜组成） 在蓝宝石（Al2O3）晶圆上生长的硅。SOS是绝缘体上硅（SOI）系列CMOS（互补MOS）技术的一部分。通常使用高纯度人工生长的蓝宝石晶体。
硅通常通过硅烷气体（SiH4）在加热的蓝宝石衬底上分解而沉积。蓝宝石的优点是它是一个优秀的电绝缘体，防止由辐射引起的杂散电流扩散到附近的电路元件。由于制造用于现代高密度应用的非常小的晶体管的困难，SOS在商业制造方面面临着早期的挑战。
这是因为SOS过程导致蓝宝石和硅之间的晶格差异形成位错、孪晶和层错。此外，在离界面最近的硅中，有一些来自衬底的p型掺杂剂铝污染。
因为蓝宝石具有高介电常数，可以消除集成电路元件之间的相互作用，不仅可以降低漏电流和寄生电容，提高抗辐射能力，降低功耗的同时还能提高集成度和二层布线水平，因此蓝宝石是大规模和超大规模集成电路的理想材料。
蓝宝石上硅技术提供了理想的隔离，降低了PN结底部的寄生电容，因此适合高速大规模集成电路实现高速低功耗。这种工艺通常用于制造CMOS电路。
另外，在SOS微电子电路的设计和生产中，各种半导体器件通常需要在结构完整的硅薄膜上制作，由于硅的热膨胀系数与蓝宝石相近，可以通过异质外延在蓝宝石衬底的表面取向（1-102）上生长硅单晶膜（100）。
目前，蓝宝石晶体已成为一种广泛应用于半导体材料生长的衬底。
